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浏览器自带分享功能也很好用哦~·出色的加工性能
·兼容5X5mm Sic/Si/GaN器件
·高热导率>200W/m·k
·高剪切强度>30MPa
无压烧结银膏 PL-400CP
产品概述
PL-400CP是一款适用于裸铜界面进行无压力烧结工艺的纳米银膏，
具备优良的导电特性，在长时间的点胶过程中保持胶量稳定，
烧结后银层均匀致密，可快速为大功率器件散热，导热表现远超传统焊料。
产品特点
切片分析Cross-section analysis
High thermal conductivity 高导热性能
High electrical conductivity 高导电性能
Steady dispensing performance 稳定的点胶表现
Excellent RBO control 优异的溢胶控制
产品参数
ITEM 项目 | Data 数据 | Remark 备注 |
Viscosity 黏度 | 9±2Pa.s（25℃） | @100 s-1 流变仪 |
Density 密度 | 4.8g/cm3 | 烧结前 |
Solid Content 固含量 | ＞80% | TGA |
CTE 热膨胀系数 | 14.75 ppm | TMA |
Thermal Conductivity | ＞200W/m.K | 激光闪射法 |
Resistivity 电阻值 | ＜6μohm.cm | / |
Applicable Surface | Cu 铜 | / |
Storage Temperature | -10℃ ~ 0℃ | |
Melting point熔点（烧结后） | 961℃ | DSC |
Shelf life保质期 | 6个月 | / |
使用指导
储存条件：建议存放于-10 ~ 0℃环境中，避免暴露在阳光直射或者高湿度环境中。
回温条件：产品从冷库取出后，建议在室温环境（25℃）下放置2-4h充分解冻并擦去容器外的水份后使用。
工艺指导
将银膏以“X” 或 “✳”形状进行均匀点胶
将芯片平整地放置在银膏上进行贴片
将银膏按照推荐的烧结参数进行烧结
无压烧结烘烤曲线推荐
加热参数推荐 | |
30-130℃ | 45min |
130℃ | 恒温30min |
130-230℃ | 20min |
260℃ | 恒温90min |
冷却速率 | 冷却至室温 |
无压裸铜界面烧结银膏PL-400CP
·出色的加工性能
·兼容5X5mm Sic/Si/GaN器件
·高热导率>200W/m·k
·高剪切强度>30MPa
无压烧结银膏 PL-400CP
产品概述
PL-400CP是一款适用于裸铜界面进行无压力烧结工艺的纳米银膏，
具备优良的导电特性，在长时间的点胶过程中保持胶量稳定，
烧结后银层均匀致密，可快速为大功率器件散热，导热表现远超传统焊料。
产品特点
切片分析Cross-section analysis
High thermal conductivity 高导热性能
High electrical conductivity 高导电性能
Steady dispensing performance 稳定的点胶表现
Excellent RBO control 优异的溢胶控制
产品参数
ITEM 项目 | Data 数据 | Remark 备注 |
Viscosity 黏度 | 9±2Pa.s（25℃） | @100 s-1 流变仪 |
Density 密度 | 4.8g/cm3 | 烧结前 |
Solid Content 固含量 | ＞80% | TGA |
CTE 热膨胀系数 | 14.75 ppm | TMA |
Thermal Conductivity | ＞200W/m.K | 激光闪射法 |
Resistivity 电阻值 | ＜6μohm.cm | / |
Applicable Surface | Cu 铜 | / |
Storage Temperature | -10℃ ~ 0℃ | |
Melting point熔点（烧结后） | 961℃ | DSC |
Shelf life保质期 | 6个月 | / |
使用指导
储存条件：建议存放于-10 ~ 0℃环境中，避免暴露在阳光直射或者高湿度环境中。
回温条件：产品从冷库取出后，建议在室温环境（25℃）下放置2-4h充分解冻并擦去容器外的水份后使用。
工艺指导
将银膏以“X” 或 “✳”形状进行均匀点胶
将芯片平整地放置在银膏上进行贴片
将银膏按照推荐的烧结参数进行烧结
无压烧结烘烤曲线推荐
加热参数推荐 | |
30-130℃ | 45min |
130℃ | 恒温30min |
130-230℃ | 20min |
260℃ | 恒温90min |
冷却速率 | 冷却至室温 |
粤ICP备05124138号-1